发明名称 一种长腔长微机电可调谐法布里-珀罗滤波器
摘要 本发明提供一种长腔长微机电可调谐法布里-珀罗滤波器,滤波器的上基板由双面腐蚀后截面呈“W”形的体硅及其下表面的浓硼掺杂层构成,“W”形体硅上表面以透明薄膜作为支撑膜,其上的反射膜作为法布里-珀罗滤波器的前腔镜,“W”形体硅下表面不同区域的浓硼掺杂层可分别作为悬臂梁和上电极。滤波器的下基板由石英玻璃构成,其上表面与前腔镜和上电极对应的区域分别制作有后腔镜和下电极,下表面与后腔镜对应的区域刻有衍射光栅。该微机电滤波器可方便获得200μm以上的初始腔长,能在不同方向上实现单一波长的滤波,具有窄半峰全宽和宽自由光谱范围的优点,在光通讯,光信息读取,激光技术等领域中有广泛的应用前景。
申请公布号 CN104330890A 申请公布日期 2015.02.04
申请号 CN201410614452.9 申请日期 2014.11.04
申请人 中国科学院光电技术研究所 发明人 方亮;石振东;汪为民;王强;邱传凯;周崇喜;田中群
分类号 G02B26/00(2006.01)I 主分类号 G02B26/00(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 杨学明;顾炜
主权项 一种长腔长微机电可调谐法布里‑珀罗滤波器,其特征在于,包括:-双面腐蚀后截面呈“W”形的体硅及其下表面的浓硼掺杂层,所述体硅及其下表面的浓硼掺杂层作为滤波器的上基板;-前腔镜支撑膜,所述前腔镜支撑膜位于“W”形体硅上表面四周镂空区域以内的所有区域;-前腔镜,所述前腔镜位于支撑膜的上表面;-悬臂梁,所述悬臂梁即为“W”形体硅四周镂空区域下方的浓硼掺杂层;-上电极,所述上电极即为“W”形体硅中央镂空区域与四周镂空区域之间体硅下表面的浓硼掺杂层;-石英基底,所述石英基底作为滤波器的下基板;-后腔镜,所述后腔镜位于石英基底上表面与前腔镜相对应的区域;-光栅,所述光栅位于石英基底下表面与后腔镜相对应的区域;-下电极,所述下电极位于石英基底上表面与上电极相对应的区域。
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