发明名称 | 对多级单元存储器进行编程的方法及装置 | ||
摘要 | 适于处理及产生表示两个或两个以上信息位的数据值的模拟数据信号的存储器装置相对于仅处理及产生指示个别位的二进制数据信号的装置促进数据传送速率的增加。所述存储器装置的编程包括编程到表示所要位模式的目标阈值电压范围。读取所述存储器装置包括产生指示目标存储器单元的阈值电压的模拟数据信号。由于编程干扰在较高阈值电压下较低,因此所述存储器单元的阈值电压范围针对包括较低阈值电压的范围具有较大范围大小且针对包括较高阈值电压的范围具有较小范围大小。 | ||
申请公布号 | CN101821811B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
申请号 | CN200880111056.7 | 申请日期 | 2008.10.08 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔;维沙尔·萨林;俊·S·辉 |
分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
主权项 | 一种对多级单元存储器进行编程的方法,其包含: 在每一单元内指派多个阈值电压范围,为存储器单元的每一级指派一范围; 通过向目标存储器单元施加编程脉冲以增加所述目标存储器单元的阈值电压来编程所述目标存储器单元,以达到或超过多个所要阈值电压电平中的所要阈值电压电平,以及在所述目标存储器单元的阈值电压小于所要阈值电压电平的情况下向所述目标存储器单元重新施加编程脉冲; 其中所述多个阈值电压范围具有非相等的大小,每一阈值电压范围表示一数据位模式,其中所述所要阈值电压电平的最低者在所述阈值电压范围中的最大者内,且所述所要阈值电压电平的最高者在所述阈值电压范围的最小者内。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |