一种半导体器件的检测方法

摘要

一种半导体器件检测方法，包括以下步骤：提供标准光掩膜，所述标准光掩膜包含有光刻信息；获取光刻信息中晶圆检测区的坐标信息；将坐标信息转化成SEM可读的SEM坐标信息；建立量测图形模板，所述量测图形模板包含标准检测区图形；将具有由标准光掩膜定义的图案化光刻胶层的晶圆依次放入SEM中，通过SEM坐标信息找出晶圆检测区；将晶圆检测区图形与量测图形模板的标准检测区图形进行比较；如果晶圆检测区图形与标准检测区图形一致，则检测位置正确；如晶圆检测区图形与标准检测区图形不一致，则检测位置有偏差。本发明的检测方法，可以极大地减少占用生产线上SEM机台的检测时间，并可以提高晶圆检测效率，有利于提高生产效率。

主权项

一种半导体器件的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供标准光掩膜，所述标准光掩膜包含有光刻信息；获取光刻信息中晶圆检测区的坐标信息；将坐标信息转化成扫描电子显微镜可读的扫描电子显微镜坐标信息；建立量测图形模板，所述量测图形模板包含标准检测区图形；将具有由标准光掩膜定义的图案化光刻胶层的晶圆依次放入扫描电子显微镜中，通过扫描电子显微镜坐标信息找出晶圆检测区；将晶圆检测区图形与量测图形模板的标准检测区图形进行比较，如果晶圆检测区图形与标准检测区图形一致，则找出的检测区位置正确，量测晶圆检测区关键尺寸的大小，并记录量测结果；如晶圆检测区图形与标准检测区图形不一致，则检测区位置有偏差，调整寻找的待测晶圆检测区位置，使其与标准晶圆检测区一致，并量测待测晶圆检测区关键尺寸的大小，并记录量测结果。