| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及制造装置 | ||
| 摘要 | 根据实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的芯片区域的第1面形成粘接层。沿着切割区域将半导体芯片单片化，并经由粘接层阶梯状地层叠半导体芯片。在粘接层的形成中，在第1面中的不以层叠的状态与其它半导体芯片接触的第1区域的至少一部分设置粘接层形成为比与其它半导体芯片接触的第2区域厚的凸部。 | ||
| 申请公布号 | CN102543775B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201110276346.0 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 种泰雄;片村幸雄;芳村淳;岩见文宏 |
| 分类号 | H01L21/58(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘薇;陈海红 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：在多个半导体芯片的第1面形成粘接层；以及经由上述粘接层阶梯状地层叠上述半导体芯片；在上述粘接层的形成中，在上述第1面中的不以层叠的状态与其它半导体芯片的顶面接触的第1区域的至少一部分，设置有上述粘接层形成为比与其它半导体芯片接触的第2区域厚的凸部；其中，上述半导体芯片在基板上层叠，在上述凸部处的粘接层的厚度是与上述基板紧贴的厚度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||