| 发明名称 | 功率半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种功率半导体装置及其制造方法，以能够不将电路图案的非电解Ni-P镀层的厚度厚膜化来抑制Ni-P镀层中的Ni扩散至焊锡中，且可以提高可靠性及成品率。该功率半导体装置包括：衬底；元件用电路图案，是形成于该衬底上，由Ni-P镀层覆盖Cu的结构；以及半导体元件，其通过焊锡与该元件用电路图案固接。而且，其特征在于，该焊锡是Sn和Sb和Cu的合金，且Cu的重量百分比是0.5％以上1％以下的任意值。 | ||
| 申请公布号 | CN102074536B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201010521765.1 | 申请日期 | 2010.10.14 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社;千住金属工业株式会社 | 发明人 | 西堀弘;吉原邦裕;上岛稔 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;C22C13/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种功率半导体装置，其特征在于，包括：衬底；元件用电路图案，是形成于所述衬底上，由非电解Ni‑P镀层覆盖Cu的结构；以及功率半导体元件，其通过焊锡与所述元件用电路图案固接，所述焊锡是Sn和Sb和Cu的合金，且Cu的重量百分比是0.5％以上1％以下的任意值，所述合金的Sn的重量百分比是91％以上93％以下的任意值，Sb的重量百分比是6.5％以上8％以下的任意值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||