半导体处理装置及处理流体收集方法

摘要

本发明揭露了一种半导体处理装置，其包括微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙。所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。这样，可以使得所述上工作表面或下工作表面发生预定倾斜来控制其内部的化学制剂流动。

主权项

一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜，所述驱动装置还包括控制单元，所述控制单元可编程地控制所述驱动单元中的一个或者多个，使得所述驱动单元驱动所述上腔室部或下腔室部产生预定倾斜。