发明名称 发光二极管封装结构及其制造方法
摘要 一种发光二极管封装结构,其包括一封装基座,该封装基座上形成一容置杯,该容置杯底部分别暴露有第一电极及第二电极。所述发光二极管封装结构还包括设置在容置杯中的封装体模组以及填充在容置杯中并覆盖该封装体模组的透明封装层。所述封装体模组包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片及包覆发光二极管芯片的荧光粉层。该基板具有第一导电层及第二导电层,该发光二极管芯片与第一导电层和第二导电层电性连接,所述第一导电层和第二导电层分别与封装基座的第一电极及第二电极电性连接。本发明相对于传统的在容置杯中设置发光二极管芯片后在容置杯中填满荧光材料的封装结构,能够节省荧光粉使用。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法。
申请公布号 CN102760822B 申请公布日期 2015.02.04
申请号 CN201110106765.X 申请日期 2011.04.27
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 许时渊;林厚德;蔡明达
分类号 H01L33/52(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/52(2010.01)I
代理机构 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人 汪飞亚
主权项 一种发光二极管封装结构的制造方法,其包括以下几个步骤:步骤1,提供一基板,该基板具有绝缘层以及形成在该绝缘层内的多个相互间隔的导电层,所述导电层仅一侧表面外露于所述绝缘层的表面;步骤2,将多个发光二极管芯片设置在基板上,该多个发光二极管芯片分别与基板上的多个导电层电性连接;步骤3,利用荧光粉层包覆多个发光二极管芯片,部分所述导电层暴露在所述荧光粉层外;步骤4,切割基板,形成多个封装体模组,每个封装体模组包括一发光二极管芯片及与发光二极管芯片电性连接的两个导电层;步骤5,提供一封装基座,该封装基座上形成一容置杯,该容置杯底部分别暴露有第一电极及第二电极,将切割后的封装体模组设置在容置杯中,并且其两个导电层外露在荧光粉层外的部分分别与第一电极及第二电极电性连接;步骤6,在封装基座的容置杯中填充透明封装层,形成一发光二极管封装结构。
地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
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