发光二极管封装结构及其制造方法

摘要

一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极、装设于基板上并与电极电连接的发光二极管芯片以及设于基板上环绕所述发光二极管芯片的封装物，所述基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述发光二极管芯片设置于基板的第一表面上，还包括一个覆盖部，该覆盖部围设于该发光二极管封装结构的外围并密封所述基板、电极与基板上的封装物相接合的接缝，该覆盖部的材料为钛硅酸盐树脂，其反应单体包括庚烷，稀丙基三甲氧基硅烷，正钛酸四丁酯及正硅酸甲酯，质量百分比分别为，庚烷大于60.0%，稀丙基三甲氧基硅烷7.0%至13.0%、正钛酸四丁酯5.0%至10.0%以及正硅酸甲酯小于0.1%。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。

主权项

一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极、装设于基板上并与电极电连接的发光二极管芯片以及设于基板上环绕所述发光二极管芯片的封装物，所述基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述发光二极管芯片设置于基板的第一表面上，其特征在于：还包括一个覆盖部，该覆盖部围设于所述基板、电极以及封装物结合的接缝并密封所述基板、电极与基板上的封装物相接合的接缝，该覆盖部的材料为钛硅酸盐树脂，所述封装物包含一将所述发光二极管芯片覆盖在基板上的封装层，该覆盖部的折射率小于封装层的折射率，其反应单体包括庚烷，稀丙基三甲氧基硅烷，正钛酸四丁酯及正硅酸甲酯，质量百分比分别为，庚烷大于60.0％，稀丙基三甲氧基硅烷7.0％至13.0％、正钛酸四丁酯5.0％至10.0％以及正硅酸甲酯小于0.1％。