| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管，所述方法包括以下步骤：步骤1、提供一基板；步骤2、在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤3、在栅极上形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线与源/漏极；步骤5、在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN102881653B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201210370615.4 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 郑扬霖;萧祥志 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板；步骤2、在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤3、在栅极上形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线与源/漏极；步骤5、在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管；所述步骤4的光罩制程包括：步骤4.21、在铜层上形成光阻层，通过曝光及湿蚀刻形成数据线，并在光阻层对应位置上形成沟道；步骤4.22、用四氟化碳或六氟化硫对钛层进行干蚀刻；步骤4.23、用氧气灰烬化沟道底部，以暴露铜层；步骤4.24、用草酸对氧化物半导体层进行湿蚀刻；步骤4.25、用铜酸对暴露的铜层进行湿蚀刻，以暴露钛层；步骤4.26、用氧气氧化铜层表面，于侧壁形成氧化铜层；步骤4.27、通过氯气对暴露的钛层进行干蚀刻，并去除光阻层，以形成源/漏极。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||