堆栈式传感器芯片结构及其制备方法

摘要

本发明公开的一种堆栈式传感器芯片结构及其制备方法，通过在像素器件晶圆和逻辑器件晶圆之间增加一转换器件晶圆，从而可以将像素器件晶圆上原来放置行选择器件、源极跟随器件、复位器件的区域腾出来，增加了像素感光区域的面积，提高了芯片的感光性能，从而提升了低光照条件下的拍摄效果，并且增强了像素区传输栅与行选择器件、源极跟随器件、复位器件之间的隔离，进而降低了暗电流、噪声等参数，且本发明设计科学合理，与传统工艺的兼容性强，易于实现。

主权项

一种堆栈式传感器芯片结构，其特征在于，包括：逻辑器件晶圆、覆盖于所述逻辑器件晶圆上表面的转换器件晶圆以及覆盖于所述转换器件晶圆上表面的像素器件晶圆；所述像素器件晶圆中设置有若干传输栅，所述转换器件晶圆中设置有行选择器件、源极跟随器件以及复位器件；其中，所述源极跟随器件的栅极和所述复位器件的漏极均与所述若干传输栅共享的浮置扩散区连接，以形成一传感器。