一种垂直结构的LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种垂直结构的LED芯片，LED芯片包括衬底；位于衬底上方的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及P电极；位于衬底下方的N电极层，所述衬底上贯穿设置有若干通孔，所述通孔的孔径为20-100um，N电极层和N型半导体层通过所述通孔电性导通。本实用新型LED芯片衬底上设置有通孔，能够使电流扩散更加均匀，减少了电流拥堵；ODR结构能够提高芯片的光取出效率；结构简单，能够有效增大发光面积，且芯片热阻低。

主权项

一种垂直结构的LED芯片，包括衬底；位于衬底上方的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及P电极；位于衬底下方的N电极层，其特征在于，所述衬底上贯穿设置有若干通孔，所述通孔的孔径为20‑100um，N电极层和N型半导体层通过所述通孔电性导通。