SOI片过孔内金属焊盘的制作方法

摘要

本发明提供了一种MEMS圆片级真空封装中过孔焊盘的制作方法。该制作方法利用SOI基片内过孔的特殊结构，采用电化学腐蚀的方法制作过孔内的焊盘，有效解决了SOI片基底层背面金属的电气短路问题，具有成本低、适用于批量生产等优势。

主权项

一种SOI片过孔内金属焊盘的制作方法，其特征在于，包括：步骤A：提供具有过孔的SOI片，其中，该SOI片的基底层(23)与绝缘层(22)之间的位置形成有屋檐结构(24)；步骤B：在SOI片的背面沉积金属薄膜，该金属薄膜在SOI片的背面连成一片，其覆盖范围包括：过孔侧面、屋檐结构(24)的下方，及过孔内SOI片器件层的背面，即预设金属焊盘的位置；步骤C：将SOI片浸入腐蚀液中，电化学腐蚀电路(40)的阳极连接至SOI片的基底层(23)；阴极连接至同样浸入腐蚀液中的阴极片，其中，腐蚀液中包括能够对所述金属薄膜产生腐蚀作用的离子；步骤E：向SOI片的基底层输出高于金属薄膜电离电势的电压，直至所述屋檐结构(24)下方的金属薄膜被腐蚀掉，过孔内SOI片器件层的背面的剩余金属薄膜形成金属焊盘，且过孔侧面的金属薄膜与该金属焊盘断开电连接；以及步骤F：继续向SOI片的基底层输出高于金属薄膜电离电势的电压，过孔侧面的金属薄膜被继续腐蚀直至消失，而金属焊盘由于电连接断开不继续腐蚀而得以保留。