发明名称 |
InGaAs量子点太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
一种InGaAs量子点太阳能电池及其制作方法,包括:利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、基极、InGaAs量子点超晶格结构、发射极、窗口层和接触层后制作出InGaAs量子点太阳能电池外延片,InGaAs量子点超晶格结构包括至少一层In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As量子点层、以及设置在In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As量子点层之间的间隔层。本发明通过调节InGaAs量子点超晶格结构的结构、材料、材料组分以及其生长参数来来调节量子点结构的密度、尺寸和禁带宽度,使得量子点结构中分立能级上的载流子具有较长寿命,能够级联式地吸收两个或多个光子,制作出高效的InGaAs量子点太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN104332511A |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201410636471.1 |
申请日期 |
2014.11.12 |
申请人 |
苏州强明光电有限公司 |
发明人 |
杨晓杰 |
分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I |
代理机构 |
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 |
代理人 |
张建纲 |
主权项 |
一种InGaAs量子点太阳能电池的制作方法,其特征在于包括以下步骤:步骤S1:利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、基极、InGaAs量子点超晶格结构、发射极、窗口层和接触层后制作出InGaAs量子点太阳能电池外延片,所述InGaAs量子点超晶格结构包括至少一层In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层、以及设置在所述In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层之间的间隔层,其中,所述In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层中In组分0.0≤x≤1.0;步骤S2:在所述InGaAs量子点太阳能电池外延片的所述GaAs衬底背面沉积背电极后将其分割成电池单元,并在所述接触层表面设置上电极,制作出所述InGaAs量子点太阳能电池。 |
地址 |
215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道凤凰科技创业园E栋(强明) |