发明名称 |
可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构 |
摘要 |
本实用新型公开一种可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构,包括:第一漂移层、形成于所述第一漂移层中的数个有源单元、形成于所述第一漂移层与数个有源单元上的数条栅极衬垫条、以及形成于所述数个有源单元与数条栅极衬垫条上的钝化层,每一所述栅极衬垫条的中心部位位于两相邻有源单元之间的第一漂移层的上方。本实用新型提供的可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构,其栅极衬垫结构由数条栅极衬垫条构成,并在该栅极衬垫条下方形成数个有源单元,可以增加微电流,同时也有效地降低应用该栅极衬垫结构的功率器件的导通电阻,导通电阻约降为原来的90%。 |
申请公布号 |
CN204144265U |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201420632928.7 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
发明人 |
赵喜高 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 |
代理人 |
廉红果 |
主权项 |
一种可减少功率器件导通电阻的栅极衬垫结构,其特征在于,包括:第一漂移层、形成于所述第一漂移层中的数个有源单元、形成于所述第一漂移层与数个有源单元上的数条栅极衬垫条、以及形成于所述数个有源单元与数条栅极衬垫条上的钝化层,每一所述栅极衬垫条的中心部位位于两相邻有源单元之间的第一漂移层的上方。 |
地址 |
518000 广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1 |