深亚微米半导体器件的工艺集成方法

摘要

本发明公开了一种深亚微米半导体器件的工艺集成方法，核心器件和输入输出器件形成于同一半导体衬底上；核心器件和输入输出器件的多晶硅栅由采用单一多晶硅栅工艺形成。在输入输出器件的轻掺杂源漏注入前在输入输出器件的多晶硅栅上形成绝缘覆盖层，能消除较大能量的输入输出器件的轻掺杂源漏注入穿透输入输出器件的多晶硅栅而使器件失效。输入输出器件的轻掺杂源漏注入后又将绝缘覆盖层去除，能使源漏注入时能对器件的多晶硅栅进行良好的掺杂，避免过多的多晶硅栅耗尽。由于半导体器件的多晶硅栅是采用单一的多晶硅栅工艺形成，从而能简化工艺流程并降低成本。

主权项

一种深亚微米半导体器件的工艺集成方法，其特征在于：核心器件和输入输出器件形成于同一半导体衬底上；所述核心器件的第一多晶硅栅和所述输入输出器件的第二多晶硅栅由采用相同工艺形成的多晶硅层刻蚀后形成；所述多晶硅层形成后，还包括如下工艺步骤：步骤一、在所述多晶硅层上形成绝缘覆盖层，采用光刻刻蚀工艺将位于输入输出器件区域外的所述绝缘覆盖层去除；所述绝缘覆盖层的厚度根据后续第二轻掺杂源漏注入的能量进行确定，以保证所述第二轻掺杂源漏注入的离子不会穿透所述绝缘覆盖层和所述第二多晶硅栅进入到所述输入输出器件的沟道区；步骤二、采用光刻刻蚀工艺形成所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅，所述第二多晶硅栅顶部覆盖有所述绝缘覆盖层；步骤三、采用第一轻掺杂源漏注入工艺形成所述核心器件的轻掺杂源漏区；采用第二轻掺杂源漏注入工艺形成所述输入输出器件的轻掺杂源漏区；所述绝缘覆盖层用以阻挡所述第二轻掺杂源漏注入对所述第二多晶硅栅的穿透；步骤四、在所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上形成侧墙；步骤五、去除所述第二多晶硅栅上的所述绝缘覆盖层；步骤六、进行源漏离子注入形成所述核心器件的源漏区、以及形成所述输入输出器件的源漏区；所述源漏离子注入也同时对所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅进行掺杂。