| 摘要 |
【解決手段】 メモリデバイスにおけるセンス増幅器を制御する処理に対応付けられているシステム、方法およびその他の実施形態を説明する。一実施形態によると、装置は、メモリデバイスにおけるメモリセルのセンス増幅器をアクティブ化するセンスイネーブル信号を生成する信号生成部を備える。当該装置は、カレントミラー回路に接続されているダミーメモリセルを備える。カレントミラー回路は、所定のタイミングからのダミーメモリセルにおけるタイミング変動を検出し、タイミング変動に少なくとも部分的に基づいてセンスイネーブル信号のタイミングを変更する。当該装置はさらに、カレントミラー回路における複数の半導体ゲートのうち１または複数を選択的にイネーブルすることによって、センスイネーブル信号のタイミングを修正するコントローラを備える。複数の半導体ゲートは、並列に接続されている。【選択図】 図１ |
