| 摘要 |
<p>フラッシュメモリデバイス内のＳＬＣ−ＭＬＣ消耗バランシング方法およびシステムを開示する。フラッシュメモリデバイスは、シングルレベルセル（ＳＬＣ）部分（１００２）とマルチレベルセル（ＭＬＣ）部分（１００４）とを含む。ＳＬＣ部分およびＭＬＣ部分の経年数は異なる場合があり、潜在的に、一方の部分が他方の前に消耗し尽くす結果を招く。これを回避するために、コントローラが、ＳＬＣ部分およびＭＬＣ部分の一方または双方からの経年数インジケータを受け取り、経年数インジケータに基づき、ＳＬＣ部分および／またはＭＬＣ部分の操作を変更するべきかどうかを決定し、操作を変更すると決定したことに応答して、ＳＬＣ部分またはＭＬＣ部分の少なくとも一方の操作を変更するように構成される。操作の変更はかくしてＳＬＣ部分とＭＬＣ部分との間の消耗をバランスさせてよく、それにより、フラッシュメモリデバイスの寿命を潜在的に延ばす。</p> |
