半导体制程

主权项

一种半导体制程，包括：于一半导体基底上形成一绝缘层；于该绝缘层上形成一图案化罩幕层；以该图案化罩幕层为罩幕，移除部分该绝缘层，以形成多个隔离结构以及位于该些隔离结构之间的一网状开口，其中该网状开口暴露出该半导体基底；进行一选择性成长制程，以由该网状开口暴露的该半导体基底的表面成长一半导体层，其中该半导体层填满该网状开口且覆盖位于该些隔离结构上的该图案化罩幕层，使得该些隔离结构位于该半导体层中；以该图案化罩幕层为终止层，对该半导体层进行一平坦化制程，以暴露出该图案化罩幕层；以及移除该图案化罩幕层。