发明名称 |
暗色铬基底之电沉积物 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI471462 |
申请公布日期 |
2015.02.01 |
申请号 |
TW100131461 |
申请日期 |
2011.09.01 |
申请人 |
麦克达米德尖端股份有限公司 |
发明人 |
查帕内里 罗山V;土斯 理查G;赫德曼 罗德里克D;汉迪 史黛西L |
分类号 |
C25D3/06 |
主分类号 |
C25D3/06 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
主权项 |
一种在基材上制造暗色泽铬涂层的方法,该方法其步骤包括:a)提供包含三价铬离子与用来维持在溶液中的三价铬离子溶解度之错合剂的三价铬电解质,其中该电解质更包含胶体二氧化矽分散物;及b)使用该三价铬电解质在该基材上电沉积铬;其中在该基材上制造一暗色泽铬涂层。 |
地址 |
美国 |