发明名称 电阻式记忆体及其制造方法;RESISTIVE MEMORY AND FABRICATING METHOD THEREOF
摘要 一种电阻式记忆体及其制造方法。此电阻式记忆体包括第一电极、第二电极、第一介电层、第二介电层以及第三介电层。第一电极与第二电极相对设置。当对电阻式记忆体进行设定时电流从第二电极流至第一电极,而当对电阻式记忆体进行重置时电流从第一电极流至第二电极。第一介电层配置于第一电极与第二电极之间。第二介电层配置于第一介电层与第二电极之间。第三介电层配置于第二介电层与第二电极之间。第一介电层的材料与第三介电层的材料相同,且第二介电层的材料与第一介电层及第三介电层的材料不同。
申请公布号 TW201505219 申请公布日期 2015.02.01
申请号 TW102125586 申请日期 2013.07.17
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 许博砚;沈鼎瀛;江明崇;魏敏芝
分类号 H01L45/00(2006.01);G11C13/00(2006.01) 主分类号 H01L45/00(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 台中市大雅区科雅一路8号