发明名称 |
电阻式记忆体及其制造方法;RESISTIVE MEMORY AND FABRICATING METHOD THEREOF |
摘要 |
一种电阻式记忆体及其制造方法。此电阻式记忆体包括第一电极、第二电极、第一介电层、第二介电层以及第三介电层。第一电极与第二电极相对设置。当对电阻式记忆体进行设定时电流从第二电极流至第一电极,而当对电阻式记忆体进行重置时电流从第一电极流至第二电极。第一介电层配置于第一电极与第二电极之间。第二介电层配置于第一介电层与第二电极之间。第三介电层配置于第二介电层与第二电极之间。第一介电层的材料与第三介电层的材料相同,且第二介电层的材料与第一介电层及第三介电层的材料不同。 |
申请公布号 |
TW201505219 |
申请公布日期 |
2015.02.01 |
申请号 |
TW102125586 |
申请日期 |
2013.07.17 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
许博砚;沈鼎瀛;江明崇;魏敏芝 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);G11C13/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
主权项 |
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地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 |