| 发明名称 |
鳍状场效电晶体装置与其形成方法;FINFET DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明系关于具有埋置矽锗氧化物结构之鳍状物场效电晶体(FinFET)装置，以增加FinFET装置的效能。在某些实施例中，FinFET装置具有半导体材料的三维鳍状物，自第一隔离区与第二隔离区之间的基板突出。闸极结构位于半导体材料的三维鳍状物上。闸极结构控制半导体材料的三维鳍状物中之电荷载子流。埋置矽锗氧化物(SiGeOx)结构位于延伸于第一隔离区与第二隔离区之间的半导体材料的三维鳍状物中。 |
| 申请公布号 |
TW201505181 |
申请公布日期 |
2015.02.01 |
| 申请号 |
TW103103110 |
申请日期 |
2014.01.28 |
| 申请人 |
中国台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
江国诚;王志豪;吴志强;张广兴 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
