半导体装置和其制造方法

主权项

一种半导体装置，包含：闸极电极层；在该闸极电极层上的绝缘层；在该绝缘层上的源极电极层和汲极电极层；在该源极电极层上的第一缓冲层；在该汲极电极层上的第二缓冲层；以及在该第一缓冲层和该第二缓冲层上的半导体层，其中该源极电极层的侧面由该第一缓冲层覆盖，其中与该源极电极层的侧面相对的该汲极电极层的侧面由该第二缓冲层覆盖，其中，该半导体层的一部分在该绝缘层上且接触该绝缘层，其中，该半导体层包含铟、镓、锌和氧，以及其中，该第一缓冲层和该第二缓冲层各包括具有n型导电型的金属氧化物。