单侧埋入带之制造方法

主权项

一种单侧埋入带之制造方法，包括：形成一沟槽电容结构于一半导体基板内，其中该沟槽电容结构具有一掺杂多晶矽层与为该掺杂多晶矽层所包覆一隔离环，而该掺杂多晶矽层之一顶面系低于该半导体基板一顶面，因而形成有一第一凹口；依序形成一第一阻剂层、一第二阻剂层与一第三阻剂层于该半导体基板之上，其中该第一阻剂层填满了该沟槽电容结构之该凹口，而该第一阻剂层、该第二阻剂层与该第三阻剂层具有平坦表面；依序图案化该第三阻剂层、该第二阻剂层与该第一阻剂层，形成三层图案化阻剂层于该半导体基板上，其中该三层图案化阻剂层露出了该掺杂多晶矽层之该顶面之一部；部分移除为该三层图案化阻剂层所露出之该掺杂多晶矽层之该部以形成一第二凹口，其中该第二凹口露出了该隔离环之一部；移除该三层图案化阻剂层；以及形成一绝缘层于该第二凹口内及该第一凹口之一部内，覆盖为该第二凹口所露出之该隔离环之该部。