制作半导体结构的方法

主权项

一种制作半导体结构的方法，包含有：提供一基材；于该基材上形成一介电层；于该介电层的一主表面上形成一导电图案，该导电图案具有一上表面以及侧壁；以及进行一选择性原子层沉积制程，选择性地在该导电图案的该上表面及该侧壁上沉积一均厚金属薄膜，但使该介电层的该主表面实质上无该均厚金属薄膜形成，其中该选择性原子层沉积制程包含下列步骤：(1)将含氢物质导入反应室中，并维持一预定时间，使得氢自由基能够吸附在该介电层的主表面上以及该导电图案的表面上；(2)将反应室抽真空，同时暂停所有气体供应，选择性地将先前吸附在该介电层的主表面上的氢自由基去除；(3)将钨前驱物导入反应室中，并维持在低压及低温下，使该钨前驱物与吸附在该导电图案表面上的氢自由基反应，如此以选择性地在该导电图案表面上沉积出钨质的该均厚金属薄膜；以及(4)进行反应室的吹除，以移除反应副产物。