改善读取特性的反熔丝单次可程式记忆胞及记忆体的操作方法;ANTIFUSE OTP MEMORY CELL WITH PERFORMANCE IMPROVEMENT AND OPERATING METHOD OF MEMORY

摘要

单次可程式唯读记忆胞，包括：第一反熔丝单元及第二反熔丝单元、选择电晶体以及井区。第一反熔丝单元与第二反熔丝单元分别包括依序设置于基底上的反熔丝层与反熔丝闸极。选择电晶体，包括选择闸极、闸极介电层、第一掺杂区与第二掺杂区。选择闸极设置于基底上。闸极介电层设置于选择闸极与基底之间。第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于选择闸极两侧的基底中，其中第二掺杂区位在第一反熔丝单元及第二反熔丝单元周围的基底中。井区设置于第一反熔丝单元及第二反熔丝单元下方的基底中，并连接第二掺杂区。