发明名称 |
一阶段电化学还原反应形成掺锡氧化锌奈米柱之方法;SINGLE-STAGE ELECTRICAL-CHEMICAL REDUCTION METHOD FOR MANUFACTURING SN-DOPED ZNO NANORODS |
摘要 |
本发明为一种一阶段电化学还原反应形成掺锡氧化锌奈米柱之方法,其系于常温常压下,以一阶段电化学还原反应即可一次形成掺锡氧化锌奈米柱。其具有常温常压下一阶段电化学还原反应即可得到透明导电之掺锡氧化锌奈米柱;不需溅镀奈米颗粒,亦不需进行多次反应,大幅降低制程复杂度并节省成本;不需使用昂贵的气相沉积设备或制程;螯合剂为含有氢氧根离子、锌离子及锡离子之金属盐类水溶液,不含剧毒;以及反应时间仅10分钟至1小时,大幅节省制程时间等优点,在半导体之制造上具有非常大的应用潜力,特别是应用于太阳能电池或是发光二极体之制造,还能够大幅提升p-n介面之接触面积,增加转换效率。 |
申请公布号 |
TW201504153 |
申请公布日期 |
2015.02.01 |
申请号 |
TW102126149 |
申请日期 |
2013.07.22 |
申请人 |
国立中央大学 |
发明人 |
林景崎;黄茂嘉 |
分类号 |
C01G19/02(2006.01);H01L21/208(2006.01);B82Y30/00(2011.01) |
主分类号 |
C01G19/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
傅尹坤 |
主权项 |
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地址 |
桃园县中坜市中大路300号 |