半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征为：于处理复数晶圆的第1处理装置中，以第1处理规范，对前述复数晶圆进行第1处理；求出前述第1处理之前述复数晶圆个别的处理量；在前述第1处理之后，求出处理前述复数晶圆的第2处理装置之第2处理所致之前述复数晶圆个别的处理量；根据前述第1处理所致之前述复数晶圆个别的处理量与前述第2处理所致之前述复数晶圆个别的处理量，决定与第1处理规范不同的第2处理规范；于前述第2处理装置中，以前述第2处理规范，对前述复数晶圆进行第2处理；前述复数晶圆的个别处理量，系将前述第2处理所致之加工量的过去的测定值，更新为最新的测定值，并依据被更新之前述最新的测定值，预测前述第2处理的执行后之前述复数晶圆个别的特性分布，藉此求出。