薄膜电晶体及其制造方法;THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

一种薄膜电晶体，包括：一基材、一闸极、一缓冲层、一闸绝缘层、一主动层、一蚀刻停止层、一源极、与一汲极。该闸极形成于该基材上。该缓冲层部分地覆盖该闸极的两个边部分(side portion)。该闸绝缘层覆盖该闸极及该缓冲层。该主动层形成于该闸绝缘层上。该蚀刻停止层形成于该主动层上，且具有一第一开口及一第二开口于该主动层上。该源极形成于该蚀刻停止层上，且经由该第一开口与该主动层接触。该汲极形成于该蚀刻停止层上，且经由该第二开口与该主动层接触。