| 摘要 |
本发明是在于提供一种可抑制邻接的下部电极间的短路的发生之半导体装置的制造方法。制造方法是包含：形成第1层间绝缘膜(161)之工程，及在第1层间绝缘膜(161)中形成圆柱孔(165)之工程，及在圆柱孔(165)形成包含下部电极的电容器之工程。形成第1层间绝缘膜(161)的工程是包含依序使第1绝缘膜(76)，湿蚀刻速率比第1绝缘膜(76)更慢的第2绝缘膜(78)，湿蚀刻速率与第2绝缘膜(78)大致相当且收缩率比第2绝缘膜(78)更小的第3绝缘膜(79)，及蚀刻速率比第3绝缘膜(79)更慢的第4绝缘膜(83)层叠的工程。 |
