微细结构形成方法、半导体装置之制造方法、及ＣＭＯＳ之形成方法

摘要

本发明提供一种可于基板上形成高品质之异种半导体之微细结构的微细结构形成方法。于形成于单晶矽基板10之上表面之SiO2膜12等上形成沟槽14，于该沟槽14之底露出单晶矽基板10之(001)晶面15，于沟槽14填充磷化铟16，加热所填充之磷化铟16而使其熔融，缓冷经熔融之磷化铟16而以(001)晶面15为晶种使磷化铟16再结晶，并去除SiO2膜12等，于加热磷化铟16时，藉由配置于单晶矽基板10之上表面侧之雷射扫描仪24而加热所填充之磷化铟16，于缓冷磷化铟16时，逐渐降低来自雷射扫描仪24之雷射光L之强度。