发明名称 |
单晶积体电路(MMIC)结构及此种结构的形成方法;MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING SUCH STRUCTURE |
摘要 |
一种形成具有电晶体装置的半导体结构的方法,具有控制于第一电极及第二电极之间的载子的流动的控制电极。钝化层沉积于第一电极、第二电极及控制电极上。蚀刻停止层沉积于控制电极上的钝化层上。介电层形成于蚀刻停止层上。窗系蚀穿控制电极上的介电层中的选定区域,以暴露设置于控制电极上的蚀刻停止层的部分。金属层形成于蚀刻停止层的部分上且介电层亦形成于金属层上。第二金属层沉积于形成于第一的所述的金属层上的介电层的部分上。 |
申请公布号 |
TW201505101 |
申请公布日期 |
2015.02.01 |
申请号 |
TW103109065 |
申请日期 |
2014.03.13 |
申请人 |
雷森公司 |
发明人 |
威廉斯 亚卓安;艾尔康 保罗 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
美国 |