发明名称 单晶积体电路(MMIC)结构及此种结构的形成方法;MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING SUCH STRUCTURE
摘要 一种形成具有电晶体装置的半导体结构的方法,具有控制于第一电极及第二电极之间的载子的流动的控制电极。钝化层沉积于第一电极、第二电极及控制电极上。蚀刻停止层沉积于控制电极上的钝化层上。介电层形成于蚀刻停止层上。窗系蚀穿控制电极上的介电层中的选定区域,以暴露设置于控制电极上的蚀刻停止层的部分。金属层形成于蚀刻停止层的部分上且介电层亦形成于金属层上。第二金属层沉积于形成于第一的所述的金属层上的介电层的部分上。
申请公布号 TW201505101 申请公布日期 2015.02.01
申请号 TW103109065 申请日期 2014.03.13
申请人 雷森公司 发明人 威廉斯 亚卓安;艾尔康 保罗
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国