记忆元件及记忆装置

主权项

一种记忆元件，其特征为，在第1电极与第2电极之间，具备：由至少含有Te之氧化物所形成的高电阻层；和至少含有一种类金属元素、与Te、S及Se当中之至少一种类硫属元素的离子源层；前记高电阻层系含Al；于前记高电阻层中，相对于Te是30~100原子%，Al系以0~70原子%之范围而被含有。