氮化镓系化合物半导体之制造方法

主权项

一种氮化镓系化合物半导体之制造方法，其步骤包含：提供一氧化锌系半导体层；形成一沾湿层于该氧化锌系半导体层之上；氮化该沾湿层；重复多次形成该沾湿层及氮化该沾湿层之步骤以形成一过渡层；以及形成一氮化镓系半导体层直接位于仅由已氮化之该沾湿层所堆叠之该过渡层之上，其中该过渡层系为该氮化镓系半导体层磊晶成长之缓冲层。