| 发明名称 | 薄膜电晶体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI471946 | 申请公布日期 | 2015.02.01 |
| 申请号 | TW099139500 | 申请日期 | 2010.11.17 |
| 申请人 | 群创光电股份有限公司 | 发明人 | 林信宏;张荣芳;高克毅 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 | |
| 主权项 | 一种薄膜电晶体，包括：一闸极位于一基板上；一闸极介电层位于该闸极与该基板上；一源极/汲极位于该闸极两侧的该闸极介电层上；一通道层位于该闸极中间部份的闸极介电层上，且该通道层接触该源极/汲极；以及一绝缘盖层覆盖该通道层，其中该通道层包括一氧化物半导体，且该绝缘盖层的下表面宽度小于该通道层的上表面宽度。 | ||
| 地址 | 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科学路160号 | ||