| 摘要 |
本发明提供的玻璃基底的蚀刻方法，其包括以下步骤：氧化步骤，向该反应腔室内通入氧气，并开启激发电源，或者同时开启激发电源和偏压电源，对置于玻璃基底的被蚀刻表面的罩幕进行氧化，以使该罩幕的被蚀刻表面形成氧化层；蚀刻步骤，向该反应腔室内通入蚀刻气体，并开启激发电源和偏压电源，以对该氧化层及该玻璃基底的被蚀刻表面中的未被该罩幕覆盖的区域进行蚀刻；并在该氧化层被完全消耗时，停止向该反应腔室内通入蚀刻气体，且关闭激发电源和偏压电源；交替进行该氧化步骤和蚀刻步骤，直至达到预定蚀刻深度。本发明提供的玻璃基底的蚀刻方法，其不仅具有较高的蚀刻速率，而且还可以提高玻璃基底相对于罩幕的蚀刻选择比。 |
