发明名称 NITNIDE BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20150011190(A) 申请公布日期 2015.01.30
申请号 KR20130086155 申请日期 2013.07.22
申请人 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. 发明人 TAKEYA MOTONOBU;LEE, KWAN HYUN;JONG, YOUNG DO
分类号 H01L29/778;H01L21/335 主分类号 H01L29/778
代理机构 代理人
主权项
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