| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT ELECTRONIQUE AU NITRURE DE GALLIUM |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique dans et sur une couche (3) de nitrure de gallium, comportant une étape d'amincissement d'une portion de ladite couche (3) par usinage ionique.</p> |
| 申请公布号 |
FR3009129(A1) |
申请公布日期 |
2015.01.30 |
| 申请号 |
FR20130057407 |
申请日期 |
2013.07.26 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS |
发明人 |
BOUFNICHEL MOHAMED;LADROUE JULIEN;GOSSET NICOLAS |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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