发明名称 |
基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数,每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本实用新型具有多谱、高灵敏度和高速特性,通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于太赫兹的多个波段。 |
申请公布号 |
CN204130553U |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
申请号 |
CN201420514776.0 |
申请日期 |
2014.09.09 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
罗俊;别业华;李维军;张新宇;佟庆;雷宇;桑红石;张天序;谢长生 |
分类号 |
H01L31/02(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/02(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
朱仁玲 |
主权项 |
一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层、超材料层、欧姆电极、和一对肖特基电极,其特征在于,欧姆电极和肖特基电极分别设置于超材料层的左右两端,超材料层与N型砷化镓层形成肖特基接触,超材料层包括多个可以以任意方式排列的金属开环共振单元阵列,且为具有周期性微纳米结构的金属层,金属开环共振单元阵列的金属开环共振单元开孔间距t=2~8μm,线宽d=4~14μm,周期L=36~100μm。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |