| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。 | ||
| 申请公布号 | CN102349356B | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201080011018.1 | 申请日期 | 2010.03.10 |
| 申请人 | EMD株式会社 | 发明人 | 节原裕一;江部明宪 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：a)真空容器；b)多个天线配置部，其设置于所述真空容器的壁的内面和外面之间；c)高频天线，其配置于所述天线配置部；d)电介质制的分隔件，其将所述天线配置部和所述真空容器的内部隔开；e)盖，其在所述多个天线配置部分别按各自一个的方式配置、且设置在所述外面一侧。 | ||
| 地址 | 日本国滋贺县 | ||