| 发明名称 | 半导体装置和该半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。半导体装置包括半导体芯片(1)、电极垫(2)、底部阻挡金属层(10)、焊锡凸块(6)以及底部填充材(18)，该电极垫(2)形成在半导体芯片(1)上，该底部阻挡金属层(10)形成在电极垫(2)上，该焊锡凸块(6)形成在底部阻挡金属层(10)上，该底部填充材(18)覆盖底部阻挡金属层(10)和焊锡凸块(6)的周围而形成。焊锡凸块(6)上与底部阻挡金属层(10)接合的界面为该底部阻挡金属层(10)的上表面，底部填充材(18)在凸块(6)的侧面和底部阻挡金属层(10)的端面接合的部分上的角度为直角或钝角。 | ||
| 申请公布号 | CN102656677B | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201080056764.2 | 申请日期 | 2010.09.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 辻本晋也 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括半导体芯片、电极垫、底部阻挡金属层、凸块以及底部填充材，该电极垫形成在所述半导体芯片上，该底部阻挡金属层形成在所述电极垫上，该凸块主要由金属形成且形成在所述底部阻挡金属层上，该底部填充材覆盖所述底部阻挡金属层和所述凸块的周围而形成，其特征在于： 所述凸块上与所述底部阻挡金属层接合的界面形成在该底部阻挡金属层的上表面上； 所述底部填充材在所述凸块的侧面和所述底部阻挡金属层的端面接合的部分上的角度为直角或钝角， 所述底部阻挡金属层的端面呈该底部阻挡金属层的厚度方向的中央部分朝内弯曲的圆弧状。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||