NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS器件，在P型硅衬底左部形成有N型深阱；在N型深阱上形成有P阱；在P型硅衬底右部形成有N阱；N型深阱同N阱间有P型硅衬底间隔区。本发明还公开了该种NLDMOS器件的制造方法。本发明的NLDMOS器件及其制造方法，深型N阱包P阱实现P阱与衬底隔离，缩小N型深阱尺寸至作为NLDMOS的沟道区的P阱处，并保证P阱与衬底隔离，而在作为NLDMOS的漂移区的N阱处不形成N型深阱，使漂移区N型掺杂浓度降低，从而使器件的关断击穿电压增加；增大N阱尺寸至N型深阱与鸟嘴之间，使栅氧化层下N型掺杂浓度增加，从而使导通击穿电压增加，同时保证导通电阻不至于过大。

主权项

一种NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底左部形成有N型深阱；在所述N型深阱上形成有P阱；在所述P型硅衬底右部形成有N阱；所述N型深阱同所述N阱间有P型硅衬底间隔区；所述P阱，中部形成有沟道区场氧；所述沟道区场氧左侧的P阱上形成有一重掺杂P型区，所述沟道区场氧右侧的P阱上形成有一重掺杂N型区；所述N阱中部形成有漂移区场氧；漂移区场氧右侧的N阱上形成有一重掺杂N型区；P阱上的所述重掺杂N型区到所述漂移区场氧之间的硅片上形成有栅氧化层；多晶硅栅形成在所述栅氧化层上面及所述漂移区场氧左部上面；所述P阱上的重掺杂P型区作为P阱引出端；所述P阱上的重掺杂N型区、N阱上的重掺杂N型区分别作为NLDMOS器件的源区、漏区引出端；所述N阱的N型掺杂浓度，大于N型深阱的N型掺杂浓度，并且小于重掺杂N型区的N型掺杂浓度；所述P阱的P型掺杂浓度，大于P型硅衬底的P型掺杂浓度，并且小于重掺杂P型区的P型掺杂浓度。