| 发明名称 | 生长在Zr衬底上的GaN薄膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了生长在Zr衬底上的GaN薄膜，由下至上依次包括Zr衬底上和GaN薄膜；所述GaN薄膜为在500～700℃生长的GaN薄膜。本实用新型的生长在Zr衬底上的GaN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点，且Zr衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN204130576U | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201420397550.7 | 申请日期 | 2014.07.17 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在Zr衬底上的GaN薄膜，其特征在于，由下至上依次包括Zr衬底上和GaN薄膜；所述GaN薄膜为在500～700℃生长的GaN薄膜。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||