METHOD FOR PRODUCING A SEMI-CONDUCTOR ELEMENT.

摘要

Procede pour fabriquer un element semi-conducteur en particulier un transistor a haute frequence du type bipolaire ou a haute resistance avec au moins une zone de surface (2) formee d'un type donne de conductivite par l'apport de substance dopante. On obtient avec precision dans l'element mentionne la distribution de la substance dopante et la conductivite souhaitee. Dans ce but et pendant que la surface de l'element est soumise au moyen d'un rayonnement optique intensif a un traitement thermique modifiant la distribution de la substance dopante respectivement la conductivite on mesure les proprietes electriques d'une figure de test (3) formee dans une portion de la surface du corps semi-conducteur et interrompt le traitement aussitot que les proprietes electriques atteignent une valeur donnee.