| 摘要 |
Ein supraleitendes Element (1), umfassend ein metallisches Substrat (2), eine Isolationsschicht (3), eine Supraleiterschicht (5) und eine metallische Schutzschicht (6), wobei die Isolationsschicht (3) zwischen dem Substrat (2) und der Supraleiterschicht (5) angeordnet ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationsschicht (3) in einem Querschnitt des supraleitenden Elements (1) sich beidenends über den von der Supraleiterschicht (5) überdeckten Bereich (B SL ) des Substrats (2) hinaus erstreckt,
dass die Isolationsschicht (3) die Supraleiterschicht (5) und die metallische Schutzschicht (6) vom Substrat (2) galvanisch trennt,
und dass eine Dicke D der Isolationsschicht (3) so gewählt ist, dass das supraleitende Element (1) eine transversale Durchbruchspannung vom metallischen Substrat (2) zur Supraleiterschicht (5) und zur metallischen Schutzschicht (6) von wenigstens 25 V aufweist. Die Erfindung stellt ein supraleitendes Element bereit, bei dem die Gefahr einer Beschädigung im Quenchfall verringert ist. |
