半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种n沟道型HK/MG晶体管，其具有由含有La和Hf的第一高介电膜形成的栅极绝缘膜、及由金属膜和多晶硅膜的层叠膜形成的栅电极，并形成在由形成在半导体衬底的主面上的由含有氧原子的绝缘膜形成的元件分离部围成的活性区域，其中，在跨过元件分离部的上述栅电极下方，代替第一高介电膜，形成有La的含量比第一高介电膜少的、含有Hf的第二高介电膜。

主权项

一种半导体器件，在半导体衬底的主面上具有SRAM，其是由如下部件构成存储单元而形成的：由驱动用场效应晶体管及负载用场效应晶体管形成的一对CMOS倒相器构成的触发电路；及与所述触发电路的一对输入输出端子连接的一对传送用场效应晶体管，所述驱动用场效应晶体管及所述传送用场效应晶体管形成在由形成在所述半导体衬底的主面上的由含有氧原子的绝缘膜形成的元件分离部围成的第一导电型的第一活性区域中，所述负载用场效应晶体管形成在由所述元件分离部围成的第二导电型的第二活性区域中，分别形成在相邻的2个存储单元中的传送用场效应晶体管具有由相同的导电体膜形成的共有的栅电极，所述半导体器件的特征在于，在所述第一活性区域之上形成有含有La和Hf的第一绝缘膜，在所述第二活性区域之上形成有含有Hf的第二绝缘膜，在被夹在形成有一个存储单元的所述传送用场效应晶体管的一个所述第一活性区域和形成有另一个存储单元的所述传送用场效应晶体管的另一个所述第一活性区域之间的所述元件分离部上，形成所述第二绝缘膜，经由形成在所述元件分离部上的所述第二绝缘膜，形成在所述一个所述第一活性区域中的所述第一绝缘膜和形成在所述另一个所述第一活性区域中的所述第一绝缘膜相连。