发明名称 |
一种高精密度石英晶片溅镀装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种高精密度石英晶片溅镀装置,它包括两个相连的溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2),溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)相连处设置有一隔板(3),隔板(3)上开设有一通孔(4),通孔(4)的大小允许溅镀夹具(5)通过,溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)内均充满氩气,所述的溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)内均设置有电场发生器(6)和磁场发生器(7),所述的溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)上均设置有靶材(8)。本实用新型的有益效果是:通过调整在不同溅镀腔体的速度来控制镀层厚度,使石英晶体两面溅镀镀层厚度不同,从而达到经过后期离子蚀刻工艺后石英晶体两面镀层厚度一致的目的。 |
申请公布号 |
CN204131473U |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
申请号 |
CN201420573418.7 |
申请日期 |
2014.09.30 |
申请人 |
东晶锐康晶体(成都)有限公司 |
发明人 |
曾家骏 |
分类号 |
H03H3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H3/02(2006.01)I |
代理机构 |
成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 |
代理人 |
袁英 |
主权项 |
一种高精密度石英晶片溅镀装置,其特征在于:它包括两个相连的溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2),溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)相连处设置有一隔板(3),隔板(3)将溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)隔开,所述的隔板(3)上开设有一通孔(4),通孔(4)的大小允许溅镀夹具(5)通过,溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)内均充满氩气,所述的溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)内均设置有电场发生器(6)和磁场发生器(7),电场和磁场分别充满对应的溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2),所述的溅镀腔体A(1)和溅镀腔体B(2)上均设置有靶材(8)。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区西部园区天映路101号 |