| 发明名称 | 窄有源区的隔离结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种窄有源区的隔离结构，在硅衬底中具有宽度在1微米以下的有源区；有源区的底部和侧壁被连为一体的底部氧化硅和STI结构所包围。本申请还公开了所述窄有源区的隔离结构的制造方法，在STI槽下方继续以干法刻蚀和湿法腐蚀形成底部槽，在底部槽中热氧化生长形成在有源区下连为一体的底部氧化硅，从而将有源区与硅衬底完全隔离。本申请能使制造于窄有源区中的窄沟道器件有较少的短沟道效应和较小的结电容，从而提高CMOS逻辑电路的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104319256A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201410494191.1 | 申请日期 | 2014.09.24 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种窄有源区的隔离结构，其特征是，在硅衬底中具有宽度在1微米以下的有源区；有源区的底部和侧壁被连为一体的底部氧化硅和STI结构所包围。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||