发明名称 |
基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法,用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据,其中,所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括:虚拟单元,读电路工作电压产生电路,稳压缓冲电路,读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法,通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压,有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象;同时,无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护,能有效地加快数据读出过程,特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。 |
申请公布号 |
CN104318955A |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
申请号 |
CN201410631642.1 |
申请日期 |
2014.11.11 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海市纳米科技与产业发展促进中心 |
发明人 |
李喜;闵国全;宋志棠;陈后鹏;张琪;王倩;金荣 |
分类号 |
G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路,用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据,其特征在于,所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括:虚拟单元,用于在导通时产生理想读电流;读电路工作电压产生电路,连接于所述虚拟单元,用于在所述虚拟单元产生理想读电流时产生读电路工作电压;稳压缓冲电路,连接于所述读电路工作电压产生电路,用于将所述读电路工作电压产生电路产生的读电路工作电压进行稳压缓冲,以产生读出电压;读电路,连接于所述稳压缓冲电路和所述被选中的相变存储单元,用于在所述稳压缓冲电路产生读出电压时,对所述被选中的相变存储单元及其所在的位线进行充电,同时产生参考读电流,并在充电完成后根据所述被选中的相变存储单元的当前状态产生读出电流;然后将所述参考读电流和所述读出电流进行比较,以产生相变存储器读出电压信号;电平转换电路,连接于所述读电路,用于将所述读电路产生的相变存储器读出电压信号转换为能使所述相变存储器正常工作的相变存储器工作电压信号,以使所述被选中的相变存储单元的当前状态转换为数据总线能识别的电压信号,从而读取所述被选中的相变存储单元所存储的数据。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |