包括电容器结构的电子设备及其形成工艺

摘要

本发明涉及包括电容器结构的电子设备及其形成工艺。电子设备可以包括电容器结构。在一种实施例中，该电子设备可以包括掩埋的导电区域、具有主表面的半导体层、与该主表面相邻的水平定向的掺杂区域、覆盖在水平定向的掺杂区域上的绝缘层以及覆盖在绝缘层上的导电电极。电容器结构可以包括第一电容器电极，该第一电容器电极包括电连接到水平定向的掺杂区域和掩埋的导电区域的垂直导电区域。电容器结构还可以包括电容器介电层及位于沟槽中的第二电容器电极。电容器结构可以与导电电极隔开。在另一种实施例中，电子设备可以包括第一晶体管、沟槽电容器结构及第二晶体管，其中第一晶体管耦合到沟槽电容器结构，而第二晶体管不具有对应的沟槽电容器结构。

主权项

一种电子设备，包括：掩埋的导电区域；半导体层，具有主表面和相反的表面，其中所述掩埋的导电区域布置成相比所述主表面来说更靠近所述相反的表面，并且所述半导体层限定具有侧壁并且与所述主表面相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸的沟槽；水平定向的掺杂区域，与所述主表面相邻；第一绝缘层，覆盖在所述水平定向的掺杂区域上；导电电极，覆盖在所述第一绝缘层上；电容器结构，包括：第一电容器电极，包括与所述沟槽的所述侧壁相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸的垂直导电区域，其中所述垂直导电区域电连接到所述水平定向的掺杂区域和所述掩埋的导电区域；电容器介电层；以及第二电容器电极，位于所述沟槽中，其中所述电容器结构与所述导电电极隔开并且不位于所述导电电极下面。