一种高晶体质量AlN外延层的生长方法

摘要

本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应导致的宏台阶降低位错密度；AlN表面形貌控制，提高生长速度修正表面形貌，促进所述宏台阶的减弱和消失，以获得表面平整的AlN表面。本发明提供了一种生长低位错密度和表面平整的高晶体质量AlN外延层的方法。本发明方法简单易行，且对MOCVD系统不会造成任何污染。

主权项

一种高晶体质量AlN外延层的生长方法，其特征在于，采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：S1：烘烤衬底；S2：低温沉积AlN成核层；S3：升温退火；S4：AlN高温外延生长，利用台阶聚效应导致的宏台阶降低位错密度；S5：AlN表面形貌控制，提高生长速度修正表面形貌，促进所述宏台阶的减弱和消失，以获得表面平整的AlN表面。